SI9933CDY-T1-GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SO-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

4 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

58 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

600 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

4.5 V

Qg-ゲートチャージ：

17 nC

最低動作温度：

- 50 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

3.1 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

商標名：

TrenchFET

包装：

リール

高さ：

1.75 mm

長さ：

4.9 mm

シリーズ：

SI9

トランジスタタイプ：

2 P-Channel

幅：

3.9 mm

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

11 S

立ち下がり時間：

13 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

50 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

29 ns

典型的なターンオン遅延時間：

21 ns

パーツ番号エイリアス：

SI9933CDY-GE3

単位重量：

0.006596 oz

Tags

SI9933CDY-T, SI9933CD, SI9933C, SI9933, SI993, SI99, SI9