STD12N60M2

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

9 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

395 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

-

Qg-ゲートチャージ：

16 nC

最低動作温度：

-

最高作動温度：

-

Pd-消費電力：

85 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

MDmesh

包装：

リール

高さ：

2.4 mm

長さ：

6.2 mm

製品：

パワーMOSFET

シリーズ：

STD12N60M2

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

MDmesh M2

幅：

6.6 mm

ブランド：

STMicroelectronics

フォワード相互コンダクタンス-最小：

-

立ち下がり時間：

-

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

-

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

-

典型的なターンオン遅延時間：

-

単位重量：

0.139332 oz

Tags

STD12N60, STD12N6, STD12N, STD12, STD1, STD