IXFN180N25T

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

シャーシマウント

パッケージ/ケース：

SOT-227-4

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

250 V

Id-連続ドレイン電流：

168 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

12.9 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

364 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

900 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

HiPerFET

包装：

チューブ

高さ：

12.22 mm

長さ：

38.23 mm

シリーズ：

IXFN180N25

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

GigaMOSパワーMOSFET

幅：

25.42 mm

ブランド：

IXYS

フォワード相互コンダクタンス-最小：

90 S

立ち下がり時間：

20 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

52 ns

ファクトリーパックの数量：

10

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

88 ns

典型的なターンオン遅延時間：

35 ns

単位重量：

1.058219 oz

Tags

IXFN18, IXFN1, IXFN, IXF