SSM3J35MFV,L3F

製品属性

属性値

メーカー：

東芝

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23F-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

100 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

4.3 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

-

最低動作温度：

-

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

150 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

シリーズ：

SSM3J35MFV

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

ブランド：

東芝

フォワード相互コンダクタンス-最小：

77 mS

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

8000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

251 ns

典型的なターンオン遅延時間：

175 ns

Tags

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