SSM3K59CTB,L3F

製品属性

属性値

メーカー：

東芝

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

CST3B-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

40 V

Id-連続ドレイン電流：

2 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

250 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

1.8 V

Qg-ゲートチャージ：

1.1 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1000 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.48 mm

長さ：

1.2 mm

シリーズ：

SSM3K59

幅：

0.8 mm

ブランド：

東芝

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

10000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

8 ns

典型的なターンオン遅延時間：

13 ns

Tags

SSM3K5, SSM3K, SSM3, SSM