SIDR220DP-T1-GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PowerPAK-SO-8DC-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

25 V

Id-連続ドレイン電流：

100 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

820 uOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

4.5 V

Qg-ゲートチャージ：

134 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

125 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

TrenchFET

包装：

リール

シリーズ：

SID

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

Vishay / Siliconix

立ち下がり時間：

16 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

95 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

47 ns

典型的なターンオン遅延時間：

51 ns

Tags

SIDR, SID