2SD2661T100

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-89-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

12 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

15 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

90 mV

最大DCコレクタ電流：

2 A

ゲイン帯域幅積fT：

360 MHz

最低動作温度：

-

最高作動温度：

+ 150 C

DC電流ゲインhFEMax：

680 at 200 mA, 2 V

包装：

リール

ブランド：

ロームセミコンダクター

連続コレクタ電流：

2 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

270 at 200 mA, 2 V

Pd-消費電力：

2 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

2SD2661

Tags

2SD26, 2SD2, 2SD