2SJ652-1E

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

28 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

28.5 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

80 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

30 W

構成：

独身

包装：

チューブ

シリーズ：

2SJ652

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

立ち下がり時間：

180 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

210 ns

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

310 ns

典型的なターンオン遅延時間：

33 ns

単位重量：

0.211644 oz

Tags

2SJ652, 2SJ65, 2SJ6, 2SJ