T2G6000528-Q3

T2G6000528-Q3
Mfr. #:
T2G6000528-Q3
メーカー:
Qorvo
説明:
RF JFET Transistors DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
ライフサイクル:
メーカー新製品
データシート:
T2G6000528-Q3 データシート
配達:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
詳しくは:
T2G6000528-Q3 詳しくは
製品属性
属性値
メーカー:
カーボ
製品カテゴリ:
RFJFETトランジスタ
JBoss:
Y
トランジスタタイプ:
HEMT
テクノロジー:
GaN SiC
利得:
15 dB
トランジスタの極性:
Nチャネル
Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧:
-
Vgs-ゲート-ソース間降伏電圧:
-
Id-連続ドレイン電流:
650 mA
出力電力:
10 W
最大ドレインゲート電圧:
-
最低動作温度:
-
最高作動温度:
-
Pd-消費電力:
12.5 W
取り付けスタイル:
SMD / SMT
包装:
トレイ
応用:
軍用レーダー、専門家および軍用無線通信
構成:
独身
動作周波数:
DC to 6 GHz
シリーズ:
T2G
ブランド:
カーボ
フォワード相互コンダクタンス-最小:
-
開発キット:
T2G6000528-Q3-EVB1, T2G6000528-Q3-EVB3, T2G6000528-Q3-EVB5
感湿性:
はい
製品タイプ:
RFJFETトランジスタ
ファクトリーパックの数量:
100
サブカテゴリ:
トランジスタ
パーツ番号エイリアス:
1099997
Tags
T2G6000528-Q, T2G6000, T2G6, T2G
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***W
RF Power Transistor, DC to 6 GHz, 10W, 13.5 dB, 28 V, GaN
T2G GaN HEMT Transistors
QorvoT2G GaN HEMT Transistors are 15W to 30W (P3dB) discrete GaN on SiC HEMT which operate from DC to 3.5GHz and 6.0GHz. These devices are constructed with Qorvo's proven TQGaN25 process, which features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization can potentially lower system costs in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.Learn More
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
モデル メーカー 説明 ストック 価格
T2G6000528-Q3
DISTI # 772-T2G6000528-Q3
QorvoRF JFET Transistors DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
RoHS: Compliant
291
  • 1:$80.4000
  • 25:$68.0500
  • 100:$57.6000
T2G6000528-Q3 28V
DISTI # 772-T2G6000528-Q328V
QorvoRF JFET Transistors DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN
RoHS: Compliant
75
  • 1:$80.4000
  • 25:$68.0500
  • 100:$57.6000
T2G6000528-Q3EVB3
DISTI # 772-T2G6000528-Q3EV
QorvoRF Development Tools 3-3.3GHz Eval Board
RoHS: Compliant
2
  • 1:$875.0000
T2G6000528-Q3, EVAL BOARD
DISTI # 772-T2G6000528-Q3EB
QorvoRF Development Tools DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN Eval Brd
RoHS: Compliant
0
  • 1:$875.0000
画像 モデル 説明
SE5023L-R

Mfr.#: SE5023L-R

OMO.#: OMO-SE5023L-R

RF Amplifier 5.15-5.85GHz Gain 32dB P1dB 34dBm
SN65LVDT41QPWREP

Mfr.#: SN65LVDT41QPWREP

OMO.#: OMO-SN65LVDT41QPWREP

LVDS Interface IC Mil Enhance MemStick Intercon Ext Chipset
2N7002LT1G

Mfr.#: 2N7002LT1G

OMO.#: OMO-2N7002LT1G

MOSFET 60V 115mA N-Channel
BOOST-CC2564MODA

Mfr.#: BOOST-CC2564MODA

OMO.#: OMO-BOOST-CC2564MODA

Bluetooth Development Tools (802.15.1) Bluetooth HCI module Booster
EWK212BJ106MD-T

Mfr.#: EWK212BJ106MD-T

OMO.#: OMO-EWK212BJ106MD-T-TAIYO-YUDEN

CAP CER 10UF 16V X5R 0508
SN65LVDT41QPWREP

Mfr.#: SN65LVDT41QPWREP

OMO.#: OMO-SN65LVDT41QPWREP-TEXAS-INSTRUMENTS

LVDS Interface IC Mil Enhance MemStick Intercon Ext Chipset
2N7002LT1G

Mfr.#: 2N7002LT1G

OMO.#: OMO-2N7002LT1G-ON-SEMICONDUCTOR

MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
CRGP0805F1K0

Mfr.#: CRGP0805F1K0

OMO.#: OMO-CRGP0805F1K0-TE-CONNECTIVITY-AMP

RES, 1K, 1%, 0.33W, 0805, THICK FILM
BOOST-CC2564MODA

Mfr.#: BOOST-CC2564MODA

OMO.#: OMO-BOOST-CC2564MODA-TEXAS-INSTRUMENTS

BLUETOOTH® CC2564 BOOSTERPACK™ BOARD
XAL4030-332MEC

Mfr.#: XAL4030-332MEC

OMO.#: OMO-XAL4030-332MEC-1190

Fixed Inductors 3.3uH 20% 6.6A 28.6mOhms AEC-Q200
可用性
ストック:
236
注文中:
2219
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参考価格(USD)
単価
小計金額
1
$80.40
$80.40
25
$68.05
$1 701.25
100
$57.60
$5 760.00
皮切りに
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