QS5U12TR

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TSMT-5

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

2 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

110 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

12 V

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 125 C

Pd-消費電力：

900 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.85 mm

長さ：

2.9 mm

製品：

MOSFET小信号

シリーズ：

QS5U12

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

MOSFET

幅：

1.6 mm

ブランド：

ロームセミコンダクター

立ち下がり時間：

10 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

10 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

21 ns

典型的なターンオン遅延時間：

8 ns

パーツ番号エイリアス：

QS5U12

単位重量：

0.000494 oz

Tags

QS5U12, QS5U1, QS5U, QS5