IMH23T110

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-プリバイアス

JBoss：

Y

構成：

デュアル

トランジスタの極性：

NPN

一般的な入力抵抗：

4.7 kOhms

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SMT-6

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

820

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

20 V

連続コレクタ電流：

600 mA

ピークDCコレクタ電流：

600 mA

Pd-消費電力：

300 mW

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

IMH23

包装：

リール

DC電流ゲインhFEMax：

820

エミッタ-ベース電圧VEBO：

12 V

高さ：

1.1 mm

長さ：

2.9 mm

幅：

1.6 mm

ブランド：

ロームセミコンダクター

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ-プリバイアス

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

IMH23

Tags

IMH23T11, IMH23T, IMH23, IMH2, IMH