EMD6FHAT2R

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-563-6

トランジスタの極性：

NPN、PNP

構成：

デュアル

コレクター-ベース電圧VCBO：

50 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

300 mV

ゲイン帯域幅積fT：

250 MHz

最高作動温度：

+ 150 C

DC電流ゲインhFEMax：

600

包装：

リール

ブランド：

ロームセミコンダクター

連続コレクタ電流：

100 mA

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

100

Pd-消費電力：

150 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

資格：

AEC-Q101

ファクトリーパックの数量：

8000

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

EMD6FHA

Tags

EMD6, EMD