SSM6L36FE,LM

製品属性

属性値

メーカー：

東芝

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

ES6-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

500 mA, 330 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

460 mOhms, 950 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

350 mV, 1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V, 8 V

Qg-ゲートチャージ：

1.23 nC, 1.2 nC

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

150 mW

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.55 mm

長さ：

1.6 mm

シリーズ：

SSM6L36

トランジスタタイプ：

1 N-Channel, 1 P-Channel

幅：

1.2 mm

ブランド：

東芝

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

4000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

75 ns, 200 ns

典型的なターンオン遅延時間：

30 ns, 90 ns

Tags

SSM6L36F, SSM6L36, SSM6L3, SSM6L, SSM6, SSM