BUR51

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

200 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

300 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

10 V

最大DCコレクタ電流：

60 A

ゲイン帯域幅積fT：

16 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

BUR51

DC電流ゲインhFEMax：

100

高さ：

8.7 mm (Max)

長さ：

39.5 mm (Max)

包装：

チューブ

幅：

26.2 mm (Max)

ブランド：

STMicroelectronics

連続コレクタ電流：

60 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

20

Pd-消費電力：

350 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

20

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.225789 oz

Tags

BUR5, BUR