RS1G120MNTB

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

HSOP-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

40 V

Id-連続ドレイン電流：

12 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

20.7 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

9.4 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

25 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1.1 mm

長さ：

5.8 mm

製品：

MOSFET

トランジスタタイプ：

1 N-channel

タイプ：

パワーMOSFET

幅：

5 mm

ブランド：

ロームセミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

4 S

立ち下がり時間：

3.2 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

4.3 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

23.8 ns

典型的なターンオン遅延時間：

9.7 ns

パーツ番号エイリアス：

RS1G120MN

単位重量：

0.002490 oz

Tags

RS1G120M, RS1G12, RS1G1, RS1G, RS1