SI3585CDV-T1-GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TSOP-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

2.1 A, 3.9 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

58 mOhms, 195 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

600 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

4.5 V

Qg-ゲートチャージ：

3.2 nC, 6 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.3 W, 1.4 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

商標名：

TrenchFET

包装：

リール

高さ：

1.1 mm

長さ：

3.05 mm

シリーズ：

SI3

トランジスタタイプ：

1 N-Channel, 1 P-Channel

幅：

1.65 mm

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

1 S, 12 S

立ち下がり時間：

9 ns, 28 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

16 ns, 37 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

13 ns, 25 ns

典型的なターンオン遅延時間：

15 ns, 16 ns

パーツ番号エイリアス：

SI3585CDV-GE3

単位重量：

0.000705 oz

Tags

SI3585CDV-T, SI3585C, SI3585, SI358, SI35, SI3