NPT1012B

製品属性

属性値

メーカー：

MACOM

製品カテゴリ：

RFJFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタタイプ：

HEMT

テクノロジー：

GaN Si

利得：

13 dB

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Vgs-ゲート-ソース間降伏電圧：

3 V

Id-連続ドレイン電流：

4 mA

最高作動温度：

+ 200 C

Pd-消費電力：

44 W

取り付けスタイル：

スクリューマウント

包装：

トレイ

構成：

独身

動作周波数：

4 GHz

ブランド：

MACOM

P1dB-圧縮ポイント：

43 dBm

製品タイプ：

RFJFETトランジスタ

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

440 mOhms

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

トランジスタ

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

- 1.8 V

単位重量：

0.007760 oz

Tags

NPT101, NPT10, NPT1, NPT