STH315N10F7-2

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

H2PAK-2

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

180 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

2.3 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

180 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

315 W

構成：

独身

資格：

AEC-Q101

商標名：

STripFET

包装：

リール

シリーズ：

STH315N10F7-2

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

STMicroelectronics

立ち下がり時間：

40 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

108 ns

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

148 ns

典型的なターンオン遅延時間：

62 ns

単位重量：

0.139332 oz

Tags

STH315, STH31, STH3, STH