NTTFS4H07NTAG

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

WDFN-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

25 V

Id-連続ドレイン電流：

66 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

3.8 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

12.4 nC

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

33.8 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

49 S

立ち下がり時間：

1.65 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

28.3 ns

ファクトリーパックの数量：

1500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

14.5 ns

典型的なターンオン遅延時間：

5 ns

単位重量：

0.000600 oz

Tags

NTTFS4H07, NTTFS4H, NTTFS4, NTTFS, NTTF, NTT