IPDD60R102G7XTMA1

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PG-HDSOP-10

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

23 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

102 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

34 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

139 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

立ち下がり時間：

4 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

5 ns

ファクトリーパックの数量：

1700

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

60 ns

典型的なターンオン遅延時間：

18 ns

パーツ番号エイリアス：

IPDD60R102G7 SP001632832

Tags

IPDD60R1, IPDD6, IPDD, IPD