SIHFL110TR-GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-223-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

1.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

540 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

8.3 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

3.1 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

高さ：

1.8 mm

長さ：

6.5 mm

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

3.5 mm

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

1.1 S

立ち下がり時間：

9.4 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

16 ns

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

15 ns

典型的なターンオン遅延時間：

6.9 ns

Tags

SIHFL, SIHF, SIH