NE68119-A

製品属性

属性値

メーカー：

CEL

製品カテゴリ：

RFバイポーラトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタタイプ：

バイポーラ

テクノロジー：

Si

トランジスタの極性：

NPN

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

80

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

10 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

1.5 V

連続コレクタ電流：

0.065 A

構成：

独身

取り付けスタイル：

SMD / SMT

動作周波数：

3 GHz

タイプ：

RFバイポーラ小信号

ブランド：

CEL

ゲイン帯域幅積fT：

7 GHz

Pd-消費電力：

100 mW (1/10 W)

製品タイプ：

RFバイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

NE68119, NE6811, NE681, NE68, NE6