NX3008CBKV,115

製品属性

属性値

メーカー：

Nexperia

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-666-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

400 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1 Ohms, 2.8 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

900 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

Qg-ゲートチャージ：

170 pC, 230 pC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

500 mW (1/2 W)

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

製品：

MOSFET

トランジスタタイプ：

1 N-Channel, 1 P-Channel

タイプ：

トレンチMOSFET

ブランド：

Nexperia

フォワード相互コンダクタンス-最小：

310 mS, 160 mS

立ち下がり時間：

19 ns, 38 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

30 ns, 11 ns

ファクトリーパックの数量：

4000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

69 ns, 65 ns

典型的なターンオン遅延時間：

15 ns, 19 ns

Tags

NX3008CBKV, NX3008C, NX3008, NX300, NX30, NX3