NTLJF3117PT1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

WDFN-6

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

3.3 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

100 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.5 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.75 mm

長さ：

2 mm

製品：

MOSFET小信号

シリーズ：

NTLJF3117P

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

タイプ：

FET-MOSFET

幅：

2 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

3.1 S

立ち下がり時間：

13.2 ns, 15 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

13.2 ns, 15 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

13.7 ns, 19.8 ns

典型的なターンオン遅延時間：

5.2 ns, 5.5 ns

Tags

NTLJF3117PT, NTLJF3117P, NTLJF3117, NTLJF3, NTLJF, NTLJ, NTL