2SA1514KT146S

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SC-59-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 120 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 120 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

- 5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

- 0.5 V

最大DCコレクタ電流：

0.05 A

ゲイン帯域幅積fT：

140 MHz

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

2SA1514K

DC電流ゲインhFEMax：

560

高さ：

1.1 mm

長さ：

2.9 mm

包装：

リール

幅：

1.6 mm

ブランド：

ロームセミコンダクター

連続コレクタ電流：

- 50 mA

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

180

Pd-消費電力：

200 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

2SA1514KT, 2SA1514K, 2SA1514, 2SA151, 2SA15, 2SA1, 2SA