2SA1576U3T106R

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-323-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 50 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 60 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

- 6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

- 500 mV

最大DCコレクタ電流：

- 150 mA

ゲイン帯域幅積fT：

140 MHz

最高作動温度：

+ 150 C

DC電流ゲインhFEMax：

560

包装：

リール

ブランド：

ロームセミコンダクター

連続コレクタ電流：

- 150 mA

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

120

Pd-消費電力：

200 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

2SA1576U3, 2SA1576U, 2SA1576, 2SA157, 2SA15, 2SA1, 2SA