SSM3J112TU,LF

製品属性

属性値

メーカー：

東芝

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

UFM-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

1.1 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

310 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.8 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

800 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

SSM3J112TU

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

ブランド：

東芝

フォワード相互コンダクタンス-最小：

0.5 S

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

8.5 ns

典型的なターンオン遅延時間：

14 ns

単位重量：

0.000233 oz

Tags

SSM3J112, SSM3J11, SSM3J1, SSM3J, SSM3, SSM