NZT660A

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

E

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-223-4

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

60 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

60 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

500 mV

最大DCコレクタ電流：

3 A

ゲイン帯域幅積fT：

75 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

NZT660A

DC電流ゲインhFEMax：

550

高さ：

1.6 mm

長さ：

6.5 mm

包装：

リール

幅：

3.56 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

連続コレクタ電流：

3 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

250

Pd-消費電力：

2 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

4000

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

NZT660A_NL

単位重量：

0.003951 oz

Tags

NZT660A, NZT66, NZT6, NZT