DMN1003UCA6-7

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

X3-DSN3518-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

12 V

Id-連続ドレイン電流：

23.6 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

2.3 mOhms, 2.3 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

500 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

Qg-ゲートチャージ：

56.5 nC, 56.5 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2.67 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

組み込まれたダイオード

立ち下がり時間：

6208 ns, 6208 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

1694 ns, 1694 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

47479 ns, 4747 ns

典型的なターンオン遅延時間：

603 ns, 603 ns

Tags

DMN100, DMN10, DMN1, DMN