SSM6N815R,LF

製品属性

属性値

メーカー：

東芝

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TSOP-6F-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

2 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

84 mOhms, 84 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

3.1 nC, 3.1 nC

最低動作温度：

-

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.4 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

東芝

フォワード相互コンダクタンス-最小：

4.8 S, 4.8 S

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

21 ns, 21 ns

典型的なターンオン遅延時間：

7.5 ns, 7.5 ns

単位重量：

0.000564 oz

Tags

SSM6N, SSM6, SSM