FDB86360-F085

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

80 V

Id-連続ドレイン電流：

110 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.5 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

207 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

333 W

構成：

独身

資格：

AEC-Q101

商標名：

PowerTrench

包装：

リール

高さ：

4.83 mm

長さ：

10.67 mm

シリーズ：

FDB86360_F085

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

9.65 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

立ち下がり時間：

70 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

197 ns

ファクトリーパックの数量：

800

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

86 ns

典型的なターンオン遅延時間：

75 ns

パーツ番号エイリアス：

FDB86360_F085

単位重量：

0.046296 oz

Tags

FDB86360-F, FDB86360, FDB863, FDB86, FDB8, FDB