MJD45H11-001

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

N

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DPAK-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

80 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

5 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

1 V

最大DCコレクタ電流：

8 A

ゲイン帯域幅積fT：

90 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

高さ：

6.35 mm

長さ：

6.73 mm

包装：

チューブ

幅：

2.38 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

連続コレクタ電流：

8 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

60

Pd-消費電力：

20 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

75

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.012346 oz

Tags

MJD45H, MJD45, MJD4, MJD