NTLUS3A18PZTCG

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

UDFN-6

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

8.2 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

14.6 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

Qg-ゲートチャージ：

28 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

3.8 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

NTLUS3A18PZ

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

40 S

立ち下がり時間：

88 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

15 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

150 ns

典型的なターンオン遅延時間：

8.6 ns

単位重量：

0.000300 oz

Tags

NTLUS3A18PZT, NTLUS3A1, NTLUS3A, NTLUS3, NTLUS, NTLU, NTL