PSMN2R6-60PSQ

製品属性

属性値

メーカー：

Nexperia

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

150 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

5.6 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4.5 V

Qg-ゲートチャージ：

140 nC

Pd-消費電力：

326 W

構成：

独身

包装：

チューブ

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

Nexperia

立ち下がり時間：

58 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

50 ns

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

87 ns

典型的なターンオン遅延時間：

32 ns

単位重量：

0.211644 oz

Tags

PSMN2R6-6, PSMN2R6, PSMN2, PSMN, PSM