IXFY4N60P3

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

4 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

2.2 Ohms

商標名：

HiPerFET

包装：

チューブ

シリーズ：

IXFY4N60

ブランド：

IXYS

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

70

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.081130 oz

Tags

IXFY, IXF