2SCR523EBTL

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

EMT-3F-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

50 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

50 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

0.1 V

最大DCコレクタ電流：

200 mA

ゲイン帯域幅積fT：

350 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

2SCR523EB

DC電流ゲインhFEMax：

560 at 1 mA, 6 V

包装：

リール

ブランド：

ロームセミコンダクター

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

120

Pd-消費電力：

150 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

2SCR523EB

Tags

2SCR523E, 2SCR523, 2SCR52, 2SCR5, 2SCR, 2SC