APT100GT120JRDQ4

製品属性

属性値

メーカー：

マイクロチップ

製品カテゴリ：

IGBTモジュール

JBoss：

Y

製品：

IGBTシリコンカーバイドモジュール

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

1.2 kV

コレクター-エミッター飽和電圧：

3.2 V

25℃での連続コレクタ電流：

123 A

ゲートエミッタリーク電流：

600 nA

Pd-消費電力：

570 W

パッケージ/ケース：

ISOTOP-4

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

包装：

チューブ

ブランド：

マイクロチップ/マイクロセミ

取り付けスタイル：

SMD / SMT

最大ゲートエミッタ電圧：

20 V

製品タイプ：

IGBTモジュール

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

IGBT

Tags

APT100GT1, APT100GT, APT100G, APT100, APT10, APT1, APT