EMT3T2R

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

トランジスタの極性：

PNP

構成：

デュアル

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

50 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

60 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6 V

最大DCコレクタ電流：

0.15 A

ゲイン帯域幅積fT：

140 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

EMT3

DC電流ゲインhFEMax：

120 at 1 mA, 6 V

高さ：

0.5 mm

長さ：

1.6 mm

包装：

リール

幅：

1.2 mm

ブランド：

ロームセミコンダクター

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

120

Pd-消費電力：

150 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

8000

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

EMT3

Tags

EMT3, EMT