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| モデル | メーカー | 説明 | ストック | 価格 |
|---|---|---|---|---|
| FQB58N08TM | Fairchild Semiconductor Corporation | Power Field-Effect Transistor, 57.5A I(D), 80V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB RoHS: Not Compliant | Europe - 800 |
| 画像 | モデル | 説明 |
|---|---|---|
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Mfr.#: FQB13N10L OMO.#: OMO-FQB13N10L-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: FQB13N10LTM |
MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK |
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Mfr.#: FQB19N20CTM |
MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK |
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Mfr.#: FQB20N06L OMO.#: OMO-FQB20N06L-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: FQB4P25 OMO.#: OMO-FQB4P25-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: FQB5N60TM |
MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK |
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Mfr.#: FQB60N03 OMO.#: OMO-FQB60N03-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: FQB6N15 OMO.#: OMO-FQB6N15-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: FQB6N50TM-NL OMO.#: OMO-FQB6N50TM-NL-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: FQB6N70 OMO.#: OMO-FQB6N70-1190 |
ブランドニューオリジナル |