SI3590DV-T1-GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TSOP-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

3 A, 2 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

77 mOhms, 170 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

600 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

12 V

Qg-ゲートチャージ：

4.5 nC, 6 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.15 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

商標名：

TrenchFET

包装：

リール

シリーズ：

SI3

トランジスタタイプ：

1 N-Channel, 1 P-Channel

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

10 S, 5 S

立ち下がり時間：

7 ns, 20 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

12 ns, 15 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

13 ns, 20 ns

典型的なターンオン遅延時間：

5 ns, 5 ns

パーツ番号エイリアス：

SI3590DV-GE3

単位重量：

0.000705 oz

Tags

SI3590DV-T, SI3590D, SI359, SI35, SI3