IXTA1N200P3HV

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-3

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

2 kV

Id-連続ドレイン電流：

1 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

40 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

23.5 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

125 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

ブランド：

IXYS

フォワード相互コンダクタンス-最小：

400 mS

立ち下がり時間：

80 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

26 ns

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

37 ns

典型的なターンオン遅延時間：

16 ns

単位重量：

0.052911 oz

Tags

IXTA1N, IXTA1, IXTA, IXT