NSV60601MZ4T1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-223-4

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

60 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

100 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

0.085 V

最大DCコレクタ電流：

6 A

ゲイン帯域幅積fT：

100 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

NSS60601MZ4

DC電流ゲインhFEMax：

360 at 1 A, 2 V

包装：

リール

ブランド：

オン・セミコンダクター

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

120

Pd-消費電力：

2 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

資格：

AEC-Q101

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.003951 oz

Tags

NSV60601, NSV606, NSV6, NSV