NCV8402DDR2G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOIC-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

42 V

Id-連続ドレイン電流：

2 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

165 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

14 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.62 W

構成：

独身

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.019048 oz

Tags

NCV8402, NCV840, NCV84, NCV8, NCV