MW6S010NR1

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

E

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

125 mA

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

68 V

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-270

包装：

リール

構成：

独身

シリーズ：

MW6S010N

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

NXP /フリースケール

チャネルモード：

強化

感湿性：

はい

Pd-消費電力：

61.4 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

500

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

- 0.5 V, 12 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.3 V

パーツ番号エイリアス：

935319268528

単位重量：

0.018679 oz

Tags

MW6S010N, MW6S01, MW6S0, MW6S, MW6