NTF6P02T3G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-223-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

10 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

70 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

400 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

2.5 V

Qg-ゲートチャージ：

15 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

8.3 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1.57 mm

長さ：

6.5 mm

シリーズ：

NTF6P02

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

タイプ：

MOSFET

幅：

3.5 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

12 S

立ち下がり時間：

60 ns, 50 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

30 ns, 25 ns

ファクトリーパックの数量：

4000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

60 ns, 75 ns

典型的なターンオン遅延時間：

8 ns, 7 ns

単位重量：

0.008818 oz

Tags

NTF6P02T, NTF6P, NTF6, NTF