BUL642D2G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

440 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

825 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

11 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

1.5 V

最大DCコレクタ電流：

11 A

ゲイン帯域幅積fT：

13 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

高さ：

9.28 mm (Max)

長さ：

10.28 mm (Max)

幅：

4.82 mm (Max)

ブランド：

オン・セミコンダクター

連続コレクタ電流：

3 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

16

Pd-消費電力：

75 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.211644 oz

Tags

BUL6, BUL