TGF2929-FS

TGF2929-FS
Mfr. #:
TGF2929-FS
メーカー:
Qorvo
説明:
RF MOSFET Transistors DC-3.5GHz 100W 28V GaN
ライフサイクル:
メーカー新製品
データシート:
TGF2929-FS データシート
配達:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
詳しくは:
TGF2929-FS 詳しくは
製品属性
属性値
メーカー:
カーボ
製品カテゴリ:
RFMOSFETトランジスタ
JBoss:
Y
トランジスタの極性:
Nチャネル
テクノロジー:
GaN SiC
Id-連続ドレイン電流:
12 A
Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧:
28 V
利得:
14 dB
出力電力:
107 W
包装:
トレイ
動作周波数:
3.5 GHz
タイプ:
RFパワーMOSFET
ブランド:
カーボ
感湿性:
はい
Pd-消費電力:
144 W
製品タイプ:
RFMOSFETトランジスタ
ファクトリーパックの数量:
25
サブカテゴリ:
MOSFET
Vgs-ゲート-ソース間電圧:
145 V
Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧:
- 2.9 V
パーツ番号エイリアス:
1123716
Tags
TGF2929-F, TGF292, TGF29, TGF2, TGF
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***W
RF Power Transistor, DC to 3.5 GHz, 100 W, 14 dB, 28 V, GaN, Flangeless
TGF2929 GaN RF Power Transistors
Qorvo TGF2929 GaN RF Power Transistors are discrete GaN on SiC HEMTs that operate from DC to 3.5GHz. They are constructed with the QGaN25HV process, which features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization can potentially lower system costs in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.Learn More
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
モデル メーカー 説明 ストック 価格
TGF2929-FS
DISTI # 772-TGF2929-FS
QorvoRF MOSFET Transistors DC-3.5GHz 100W 28V GaN
RoHS: Compliant
23
  • 1:$351.0000
  • 25:$316.7800
TGF2929-FS/FL, 3.1-3.5GHZ EVB
DISTI # 772-TGF2929-FS/FL-EV
QorvoRF Development Tools DC-3.5GHz 100W Eval Board
RoHS: Compliant
1
  • 1:$875.0000
1123716
DISTI # TGF2929-FS
QorvoRF POWER TRANSISTOR
RoHS: Compliant
10
  • 1:$90.0000
画像 モデル 説明
TGF2977-SM

Mfr.#: TGF2977-SM

OMO.#: OMO-TGF2977-SM

RF JFET Transistors 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
TGF2954

Mfr.#: TGF2954

OMO.#: OMO-TGF2954

RF JFET Transistors DC-12GHz 27W 32V GaN P3dB @ 3GHz 44.5dBm
TGF2955

Mfr.#: TGF2955

OMO.#: OMO-TGF2955

RF JFET Transistors DC-12GHz 40W 32V GaN P3dB @ 3GHz 46.5dBm
TGF2929-HM

Mfr.#: TGF2929-HM

OMO.#: OMO-TGF2929-HM-318

RF JFET Transistors DC-3.5GHz 100W 28V Gain 17.4dB GaN
TGF2957

Mfr.#: TGF2957

OMO.#: OMO-TGF2957-318

RF JFET Transistors DC-12GHz 70W 32V GaN P3dB @ 3GHz 48.6dBm
TGF2929-FS

Mfr.#: TGF2929-FS

OMO.#: OMO-TGF2929-FS-319

RF MOSFET Transistors DC-3.5GHz 100W 28V GaN
TGF2979-SM-EVB

Mfr.#: TGF2979-SM-EVB

OMO.#: OMO-TGF2979-SM-EVB-1152

RF Development Tools
TGF2942

Mfr.#: TGF2942

OMO.#: OMO-TGF2942-1152

RF JFET Transistors DC-25GHz 2Watt NF 1.2dB GaN
TGF2960

Mfr.#: TGF2960

OMO.#: OMO-TGF2960-1190

ブランドニューオリジナル
TGF2960-SD.

Mfr.#: TGF2960-SD.

OMO.#: OMO-TGF2960-SD--1190

ブランドニューオリジナル
可用性
ストック:
Available
注文中:
2000
数量を入力してください:
TGF2929-FSの現在の価格は参考用です。最高の価格をご希望の場合は、お問い合わせまたは直接メールで営業チーム[email protected]までご連絡ください。
参考価格(USD)
単価
小計金額
25
$316.78
$7 919.50
皮切りに
Top