US6M11TR

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-363T-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V, 12 V

Id-連続ドレイン電流：

1.5 A, 1.3 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

180 mOhms, 260 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

1.8 nC, 2.4 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1 W

構成：

デュアル

包装：

リール

シリーズ：

US6M11

トランジスタタイプ：

1 N-Channel, 1 P-Channel

ブランド：

ロームセミコンダクター

立ち下がり時間：

3 ns, 9 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

5 ns, 10 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

20 ns, 30 ns

典型的なターンオン遅延時間：

5 ns, 8 ns

パーツ番号エイリアス：

US6M11

単位重量：

0.000265 oz

Tags

US6M11T, US6M11, US6M1, US6M, US6