NGTB20N120IHWG

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

IGBTトランジスタ

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

パッケージ/ケース：

TO-247-3

取り付けスタイル：

スルーホール

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

1.2 kV

コレクター-エミッター飽和電圧：

2.2 V

最大ゲートエミッタ電圧：

20 V

25℃での連続コレクタ電流：

40 A

Pd-消費電力：

341 W

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 175 C

包装：

チューブ

連続コレクタ電流IcMax：

20 A

ブランド：

オン・セミコンダクター

ゲートエミッタリーク電流：

100 nA

製品タイプ：

IGBTトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

IGBT

単位重量：

1.340411 oz

Tags

NGTB20N120I, NGTB20N12, NGTB20N1, NGTB20N, NGTB20, NGTB2, NGTB, NGT