FDBL86062-F085

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

H-PSOF-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

300 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.5 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

124 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

429 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

シリーズ：

FDBL86062_F085

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

立ち下がり時間：

9 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

25 ns

ファクトリーパックの数量：

2000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

36 ns

典型的なターンオン遅延時間：

31 ns

パーツ番号エイリアス：

FDBL86062_F085

単位重量：

0.029985 oz

Tags

FDBL86062, FDBL860, FDBL8, FDBL, FDB